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Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟

用解析的方法模拟了T＝300K和77K时，fT和fmax与集电极电流密度Jc的关系，在大电流下考虑了异质结势垒效应的影响。模拟结果和用数值方法......

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解析模型 Si/SiGe/Si HBT 频率特性 SiGe 截止频率最高振荡频率集电极电流集电区基区结电容

Si/SiGe/SiHBT的优化设计

给出了常温和低温Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的设计原则，并进行了讨论。指出了低温和室温ＨＢＴ设计上的差异。这些原则可用于优化设计特定要求的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。 The design pri......

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基区优化设计 SiGe Si/SiGe/SiHBT 集电区电流增益特定要求集电结渡越时间击穿电压

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